[发明专利]用于气体检测的亚微米尺寸声表面波延迟线的制作方法无效
| 申请号: | 200910077517.X | 申请日: | 2009-01-21 |
| 公开(公告)号: | CN101783658A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
| 发明(设计)人: | 李晶晶;赵以贵;朱效立;李东梅;贾锐;谢常青 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | H03H3/08 | 分类号: | H03H3/08;B81C1/00;G01N29/02 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 气体 检测 微米 尺寸 表面波 延迟线 制作方法 | ||
1.一种用于气体检测的亚微米尺寸声表面波延迟线的制作方法,其特征在于,该方法利用电子束直写光刻技术制备出具有亚微米尺寸声表面波延迟线图形作为X射线曝光掩模板,然后在压电基片上采用X射线曝光得到凹立的延迟线图形,通过电子束蒸发、剥离形成亚微米尺寸声表面波延迟线。
2.根据权利要求1所述的用于气体检测的亚微米尺寸声表面波延迟线的制作方法,其特征在于,该方法具体包括以下步骤:
步骤1、采用电子束光刻、电镀在自支撑薄膜上制作具有亚微米尺寸声表面波延迟线图形;
步骤2、在石英基片上悬涂光刻胶;
步骤3、通过X射线曝光将声表面波延迟线图形转移到光刻胶上;
步骤4、显影、定影,去残胶得到凹立的延迟线图形;
步骤5、蒸发并剥离金属,完成用于气体检测的亚微米尺寸声表面波延迟线的制作。
3.根据权利要求2所述的用于气体检测的亚微米尺寸声表面波延迟线的制作方法,其特征在于,步骤1中所述在自支撑薄膜上制作具有亚微米尺寸声表面波延迟线图形后,进一步包括:
通过电镀金属,形成X射线曝光所需的阻挡层,阻挡层的厚度为300~500nm。
4.根据权利要求2所述的用于气体检测的亚微米尺寸声表面波延迟线的制作方法,其特征在于,步骤2中所述在石英基片上悬涂光刻胶,进一步在光刻胶与石英之间涂敷增粘剂。
5.根据权利要求2所述的用于气体检测的亚微米尺寸声表面波延迟线的制作方法,其特征在于,步骤3中所述X射线曝光采用的光源为同步辐射光源,自支撑的X射线曝光模版作为光刻版,在压电基片上进行接触式曝光。
6.根据权利要求2所述的用于气体检测的亚微米尺寸声表面波延迟线的制作方法,其特征在于,步骤4中所述显影以后进一步使用反应离子刻蚀方法去除残胶,防止电子束蒸发、剥离金属时形成缺陷。
7.根据权利要求2所述的用于气体检测的亚微米尺寸声表面波延迟线的制作方法,其特征在于,步骤5中所述蒸发并剥离金属,采用电子束蒸发金属,然后采用剥离工艺去除金属,形成最终的可用于气体检测的亚微米尺寸声表面波延迟线的制作。
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