[发明专利]一种用于砷化镓晶片的抛光组合物及其制备方法无效
| 申请号： | 200910077080.X | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101475778A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 潘国顺;周艳;朱永华;雒建斌;路新春;刘岩 | 申请（专利权）人： | 清华大学;深圳清华大学研究院 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09K3/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱 琨 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体制造技术领域的一种用于砷化镓晶片的抛光组合物及其制备方法。抛光组合物含有磨料、氧化剂、表面修饰剂、碱和水，各组分配比分别为：磨料为1～50wt％，氧化剂为0.1～20wt％，表面修饰剂含量为0.0002～5wt％，碱为0.001～10wt％，其余为水，pH值为8～13。制备方法为：加入所需用量的氧化剂、表面修饰剂、碱、水，用搅拌器或超声波混合分散均匀后，再加入磨料，混合均匀。本发明的抛光组合物特别适用于砷化镓晶片的抛光，其优势在于抛光速率高，抛光后的晶片表面无凹坑、凸起，平整性好，表面粗糙度达到5埃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 砷化镓 晶片 抛光 组合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于砷化镓晶片的抛光组合物，其组分配比为：磨料 1～50wt％氧化剂 0.1～20wt％表面修饰剂 0.0002～5wt％碱 0.001～10wt％水 余量2. 根据权利要求1所述的用于砷化镓晶片的抛光组合物，其特征在于，所述磨料为氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化铈中的一种或几种，粒径为5～200nm。
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