[发明专利]一种用于砷化镓晶片的抛光组合物及其制备方法

权利要求书

1.一种用于砷化镓晶片的抛光组合物，其组分配比为：

所述表面修饰剂为磺酸盐或硫酸盐，

所述磺酸盐为含碳数12～20伯烷基磺酸盐、含碳数12～16仲烷基磺酸盐、 含碳数12～16烷基苯磺酸钠、含碳数3～8烷基萘磺酸盐中的一种或几种；

所述硫酸盐为烷醇基聚氧乙烯醚硫酸盐、烷基酚聚氧乙烯醚硫酸盐中的一 种或几种；

所述抛光组合物的pH值为8～13。

2.根据权利要求1所述的用于砷化镓晶片的抛光组合物，其特征在于，所述 磨料为氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化铈中的一种或几种，粒径为5～200nm。

3.根据权利要求1所述的用于砷化镓晶片的抛光组合物，其特征在于，所述 氧化剂为过氧化氢、过氧化钠、硝酸铁、过二硫酸、过乙酸、过苯甲酸、次氯 酸、次氯酸钠、次氯酸钙、次溴酸、次碘酸中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的用于砷化镓晶片的抛光组合物，其特征在于，所述 碱为氢氧化物、碳酸盐、碳酸氢盐、烷基胺、醇胺、多羟多胺中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的用于砷化镓晶片的抛光组合物，其特征在于，所述 水为去离子水或蒸馏水。

6.权利要求1至5任意一个权利要求所述的用于砷化镓晶片的抛光组合 物的制备方法，先加入所需用量的氧化剂、表面修饰剂、碱、水，用搅拌器或 超声波混合分散均匀后，再加入磨料，混合均匀，其特征在于，所述制备方法 的具体步骤为：

1)先加入氧化剂0.1～20wt％、表面修饰剂0.0002～5wt％、碱0.001～10wt％、 水，用搅拌器或超声波混合搅拌3～5min，使其分散均匀；

2)采用过滤方法除去磨料中的大颗粒，再加入磨料1～50wt％，用搅拌器或 超声波混合搅拌3～5min，使其分散均匀。