[发明专利]等离子体刻蚀装置及栅极的刻蚀方法有效
| 申请号： | 200910076699.9 | 申请日： | 2009-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101783281A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 杨盟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/28;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 100016 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种等离子体刻蚀装置，包括具有第一电极、第二电极的工艺腔、与所述第一电极电连接的激励射频电源和与所述第二电极电连接的偏置射频电源；其中，所述第一电极和第二电极相对放置，所述第一电极和第二电极之间为所述的工艺腔；所述激励射频电源用于向所述第一电极输入激励射频功率；所述偏置射频电源用于向所述第二电极输入偏置射频功率；所述激励射频电源和/或偏置射频电源为间断起辉模式的射频电源；其中，所述间断起辉模式为在单位射频周期的部分时间有功率输出的起辉模式。本发明的等离子体刻蚀装置在刻蚀时可提供更高的刻蚀选择比。本发明还提供一种栅极的刻蚀方法，本发明的方法可兼顾刻蚀速率和刻蚀选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 装置 栅极 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体刻蚀装置，包括具有第一电极、第二电极的工艺腔、与所述第一电极电连接的激励射频电源和与所述第二电极电连接的偏置射频电源；其中，所述第一电极和第二电极相对放置，所述第一电极和第二电极之间为所述的工艺腔；所述激励射频电源用于向所述第一电极输入激励射频功率；所述偏置射频电源用于向所述第二电极输入偏置射频功率；其特征在于：所述激励射频电源和/或偏置射频电源为间断起辉模式的射频电源；其中，所述间断起辉模式为在单位射频周期的部分时间有功率输出的起辉模式。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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