[发明专利]等离子体刻蚀装置及栅极的刻蚀方法

权利要求书

1.一种等离子体刻蚀装置，包括具有第一电极、第二电极的工艺 腔、与所述第一电极电连接的激励射频电源和与所述第二电极电连接的 偏置射频电源；其中，所述第一电极和第二电极相对放置，所述第一电 极和第二电极之间为所述的工艺腔；所述激励射频电源用于向所述第一 电极输入激励射频功率；所述偏置射频电源用于向所述第二电极输入偏 置射频功率；

其特征在于：所述激励射频电源和/或偏置射频电源为具有间断起 辉模式和连续起辉模式的射频电源；

所述等离子体刻蚀装置还包括与所述具有间断起辉模式和连续起 辉模式的射频电源连接的射频电源控制器，用于控制所述射频电源在间 断起辉模式和连续起辉模式之间切换；

其中，所述间断起辉模式为在单位射频周期的部分时间有功率输出 的起辉模式；所述连续起辉模式为在单位射频周期的全部时间均有功率 输出的起辉模式。

2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于：还包括 与所述具有间断起辉模式和连续起辉模式的射频电源连接的射频电源 调节器，用于当所述射频电源工作于间断起辉模式时，调节所述射频电 源的功率输出的时间占空比。

3.如权利要求2所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于：所述射 频电源工作于间断起辉模式时，其功率输出的时间占空比连续可调或间 断可调。

4.如权利要求2所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于：所述射 频电源工作于间断起辉模式时，其功率输出的时间占空比的调节范围为 大于等于20％，且小于100％。

5.如权利要求4所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于：所述射 频电源工作于间断起辉模式时，其功率输出的时间占空比为40％、50％ 或70％。

6.一种栅极的刻蚀方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次具有栅极介质层和栅 层，在所述栅层上具有栅极掩膜图案；

通过主刻蚀工艺刻蚀未被所述栅极掩膜图案覆盖的栅层，至所述栅 极介质层表面露出时为止；

所述主刻蚀工艺之后，继续以所述栅极掩膜图案为掩膜，通过过刻 蚀工艺刻蚀去除部分厚度的栅极介质层；其中

所述主刻蚀工艺为等离子体刻蚀，且所述主刻蚀工艺中的激励射频 功率和/或偏置射频功率为连续起辉模式，或者为先采用连续起辉模式， 而后采用间断起辉模式；

所述过刻蚀工艺为等离子体刻蚀；且所述过刻蚀工艺中的激励射频 功率和/或偏置射频功率为间断起辉模式，所述等离子体刻蚀的装置通 过射频电压控制器控制激励射频功率和/或偏置射频功率的间断起辉模 式和连续起辉模式之间的切换。

7.如权利要求6所述的栅极的刻蚀方法，其特征在于：当所述偏 置射频功率为间断起辉模式时，功率输出的时间占空比为40％或50％或 70％。