[发明专利]一种制备多晶硅的方法无效
| 申请号： | 200910073781.6 | 申请日： | 2009-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101481110A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 王振红 | 申请（专利权）人： | 王振红 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 050700河北省新乐*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备多晶硅的方法，包括以下步骤：(1)将盛有硅料的坩埚置于密闭的加热炉内；(2)在抽出加热炉内空气、使加热炉内呈负压状态的同时使加热炉升温；(3)当加热炉温度升至1100～1250℃时，停止抽真空，向加热炉内填充氩气，使加热炉内气压与炉外相等；(4)当加热炉内温度升至1450～1700℃时对加热炉保温，然后向炉内的硅液内充入八氟丁烷或八氟环丁烷气体；(5)向炉内的硅液内充入氖气；(6)加充氖气完成后，使加热炉内的坩埚自上而下缓慢脱离加热区，使坩埚下部硅液的温度缓慢下降，并保持坩埚内硅液的上部温度不变，坩埚脱离加热区后，得到多晶硅成品。本发明无环境污染，工艺简单，质量稳定，成本低，易于实现工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 多晶 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备多晶硅的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)将盛有硅料的坩埚置于密闭的加热炉内；(2)在抽出加热炉内空气、使加热炉内呈负压状态的同时以2～3℃/分钟的升温速度使加热炉升温；(3)当加热炉温度升至1100～1250℃时，停止抽真空，向加热炉内填充氩气，使加热炉内气压与炉外相等；(4)当加热炉内温度升至1450～1700℃时对加热炉保温2～6小时，然后向加热炉内的硅液内充入八氟丁烷或八氟环丁烷气体，并维持10～120分钟；(5)加充氟气完成后，向加热炉内的硅液内充入氖气，并维持10～120分钟；(6)加充氖气完成后，使加热炉内盛放硅液的坩埚自上而下缓慢脱离加热区，使坩埚下部硅液的温度缓慢下降，并保持坩埚内硅液的上部温度不变，坩埚脱离加热区后，得到结晶的多晶硅成品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于王振红，未经王振红许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910073781.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多晶硅副产品四氯化硅的回收利用方法
- 下一篇：抗风浪双体船
