[发明专利]一种改善磁场分布的平面磁控溅射靶无效
| 申请号： | 200910058821.X | 申请日： | 2009-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101519769A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 杜晓松;蒋亚东;靖红军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善磁场分布的平面磁控溅射靶，包括阴极靶、靶座、永磁体、屏蔽罩、靶材压圈和导磁片，永磁体安装在溅射靶的下面，由中心永磁体和外围永磁体组成，其特征是在外围永磁体的内侧上方设置导磁片，导磁片由屏蔽罩或者靶材压圈提供连接支撑。本发明可以使溅射靶上方的一个更大的面积内具有水平方向的磁场分布，因而能极大地增加靶的侵蚀面积，提高靶材的利用率，延长靶的使用寿命。本发明只需对常规的磁控溅射靶进行一次改进，具有简单易行、应用范围广、普适性强等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 磁场 分布 平面 磁控溅射 | ||
【主权项】：
1、一种改善磁场分布的平面磁控溅射靶，包括阴极靶、靶座、永磁体、屏蔽罩、靶材压圈和导磁片，所述永磁体安装在靶座的下面，由中心永磁体和外围永磁体组成，阴极靶设置在靶座的上方并由四周的靶材压圈固定在靶座上，屏蔽罩设置在溅射靶四周上方1-3mm处并与阴极靶绝缘，其特征在于，导磁片由导电的软磁材料制成，设置在溅射靶的四周上方，导磁片的外侧端面位于外围永磁体的外侧端面以内，内侧端面比外围永磁体的内侧端面向内伸入3-10％R，R为中心永磁体和外围永磁体的中心距。
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