[发明专利]一种改善磁场分布的平面磁控溅射靶无效
| 申请号： | 200910058821.X | 申请日： | 2009-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101519769A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 杜晓松;蒋亚东;靖红军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 磁场 分布 平面 磁控溅射 | ||
1.一种改善磁场分布的平面磁控溅射靶，包括阴极靶、靶座、永磁体、屏 蔽罩、靶材压圈和导磁片，所述永磁体安装在靶座的下面，由中心永磁体和外 围永磁体组成，阴极靶设置在靶座的上方并由四周的靶材压圈固定在靶座上， 屏蔽罩设置在阴极靶四周上方1-3mm处并与阴极靶绝缘，其特征在于，导磁片 由导电的软磁材料制成，设置在阴极靶的四周上方，导磁片的外侧端面位于外 围永磁体的外侧端面以内(20％-40％)W，W为外围永磁体的宽度，导磁片内侧端 面比外围永磁体的内侧端面向内伸入(3％-10％)R，R为中心永磁体和外围永磁体 的中心距，导磁片在垂直于靶面的方向上在靠近溅射靶中心的一侧厚度最大，为 (10％-60％)R，而在远离溅射靶中心的一侧厚度依次减薄。
2.根据权利要求1所述的一种改善磁场分布的平面磁控溅射靶，其特征在 于，所述的导磁片由屏蔽罩支撑连接，成为屏蔽罩的内侧部分，在阴极靶靶面 上方1-3mm。
3.根据权利要求1所述的一种改善磁场分布的平面磁控溅射靶，其特征在 于，所述的导磁片由靶材压圈支撑连接，成为靶材压圈的内侧部分。
4.根据权利要求1所述的改善磁场分布的平面磁控溅射靶，其特征在于， 导磁片材料的相对磁导率大于10。
5.根据权利要求1所述的改善磁场分布的平面磁控溅射靶，其特征在于， 平面磁控溅射靶为圆形或矩形。
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