[发明专利]基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构无效
| 申请号： | 200910058145.6 | 申请日： | 2009-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101477993A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;张伟;詹瞻;邓浩;高唤梅;王元刚;雷天飞;张波;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/76;H01L21/20;H01L21/84 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 冉鹏程 |
| 地址： | 610054四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，包括半导体衬底层，介质埋层和半导体有源层，在所述半导体有源层上部设置有漂移区层，在所述半导体有源层的下部设置有至少一个界面岛型埋层，所述界面岛型埋层位于介质埋层上方，所述漂移区层和界面岛型埋层的导电类型相同，半导体有源层的导电类型与界面岛型埋层或漂移区层的导电类型相反。将本发明采用的结构应用于高压功率器件或功率集成电路中，其耐压比常规的采用自隔离技术的SOI器件的耐压大大提高，且该工艺和标准CMOS工艺完全兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 隔离 技术 介质 增强 soi 耐压 结构 | ||
【主权项】：
1、一种基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，包括半导体衬底层(1)，介质埋层(2)和半导体有源层(3)，在所述半导体有源层(3)上部设置有漂移区层(12)，其特征在于：在所述半导体有源层(3)的下部设置有至少一个界面岛型埋层(13)，所述界面岛型埋层(13)位于介质埋层(2)上方，所述漂移区层(12)和界面岛型埋层(13)的导电类型相同，半导体有源层(3)的导电类型与界面岛型埋层(13)或漂移区层(12)的导电类型相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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