[发明专利]基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构无效
| 申请号： | 200910058145.6 | 申请日： | 2009-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101477993A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;张伟;詹瞻;邓浩;高唤梅;王元刚;雷天飞;张波;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/76;H01L21/20;H01L21/84 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 冉鹏程 |
| 地址： | 610054四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 隔离 技术 介质 增强 soi 耐压 结构 | ||
1.一种基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，包括半导体衬底层(1)，介质埋层(2)和半导体有源层(3)，在所述半导体有源层(3)上部设置有漂移区层(12)，其特征在于：在所述半导体有源层(3)的下部设置有至少一个界面岛型埋层(13)，所述界面岛型埋层(13)位于介质埋层(2)上方，所述漂移区层(12)和界面岛型埋层(13)的导电类型相同，半导体有源层(3)的导电类型与界面岛型埋层(13)或漂移区层(12)的导电类型相反。
2.根据权利要求1所述的基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，其特征在于：所述界面岛型埋层(13)为一个，界面岛型埋层(13)位于高压功率器件单元的范围内。
3.根据权利要求1所述的基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，其特征在于：所述界面岛型埋层(13)为多个，任意两个界面岛型埋层(13)之间具有间距。
4.根据权利要求1或2或3所述的基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，其特征在于：所述半导体有源层(3)的材质为Si，SiC，GaAs，SiGe或GaN。
5.根据权利要求1或2或3所述的基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，其特征在于：所述界面岛型埋层(13)的材质为Si，SiC，GaAs，SiGe或GaN。
6.根据权利要求1或2或3所述的基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，其特征在于：介质埋层(2)的材质是SiO2或低k材料。
7.根据权利要求6所述的基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，其特征在于：低k材料是碳掺杂氧化物或SiOF。
8.根据权利要求1或3所述的基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，其特征在于：界面岛型埋层(13)的材质与半导体有源层(3)的材质一样或不一样，任意若干个界面岛型埋层(13)相互之间是同种半导体材料或不同种半导体材料。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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