[发明专利]缩小SONOS存储器单元面积的制造方法

摘要

本发明公开了一种缩小SONOS存储器单元面积的制造方法，包括如下步骤：1)在硅衬底上全面沉积SiO2；2)光刻刻蚀去除SONOS管区域的SiO2，在普通晶体管区域形成SiO2的保护层；3)全面沉积ONO三层膜；4)光刻保护SONOS管的ONO区域，在该区域上形成SiO2的保护层；5)干法刻蚀去除普通晶体管区域的ON；6)对硅片进行加热；7)湿法刻蚀去除普通晶体管区域剩下的SiO2；8)后续步骤形成栅氧与栅极。该方法能减少SONOS存储器ONO结构的上层SiO2在湿法刻蚀中的横向刻蚀，使SONOS管与普通晶体管之间的间距缩小，从而达到缩小面积的目的。

主权项

一种缩小SONOS存储器单元面积的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在硅衬底上全面沉积SiO2；2)光刻刻蚀去除SONOS管区域的SiO2，在普通晶体管区域形成SiO2的保护层；3)全面沉积ONO三层膜，所述ONO三层膜由上至下依次为绝缘氧化层、氮化物层和隧穿氧化层；4)光刻保护SONOS管的ONO区域，在该区域上形成SiO2的保护层；5)干法刻蚀去除普通晶体管区域的绝缘氧化层和氮化物层；6)对硅片进行加热，使光刻胶沿侧壁流动覆盖ONO三层膜的绝缘氧化层；7)湿法刻蚀去除普通晶体管区域剩下的SiO2；8)后续步骤形成栅氧与栅极。