[发明专利]缩小SONOS存储器单元面积的制造方法

权利要求书

1.一种缩小SONOS存储器单元面积的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在硅衬底上全面沉积SiO2；

2)光刻刻蚀去除SONOS管区域的SiO2，在普通晶体管区域形成SiO2的保护层；

3)全面沉积ONO三层膜，所述ONO三层膜由上至下依次为绝缘氧化层、氮化物层和隧穿氧化层；

4)光刻保护SONOS管的ONO区域，在该区域上形成SiO2的保护层；

5)干法刻蚀去除普通晶体管区域的绝缘氧化层和氮化物层；

6)对硅片进行加热，使光刻胶沿侧壁流动覆盖ONO三层膜的绝缘氧化层；

7)湿法刻蚀去除普通晶体管区域剩下的SiO2；

8)后续步骤形成栅氧与栅极。

2.根据权利要求1所述的缩小SONOS存储器单元面积的制造方法，其特征是，步骤1)中，对于操作电压15V以内的器件，所述SiO2的厚度为50～250埃，其生长方式为热生长或PVD，CVD沉积。

3.根据权利要求1所述的缩小SONOS存储器单元面积的制造方法，其特征是，步骤2)中刻蚀采用含HF药液的湿法刻蚀。

4.根据权利要求1所述的缩小SONOS存储器单元面积的制造方法，其特征是，步骤3)中，对于操作电压15V以内的器件，所述隧穿氧化层为10～100埃，所述氮化物层为40～350埃，所述绝缘氧化层为50～250埃，该步骤采用热生长或PVD，CVD沉积。

5.根据权利要求1所述的缩小SONOS存储器单元面积的制造方法，其特征是，步骤6)中的温度为70～250℃，时间为10s～600s。

6.根据权利要求5所述的缩小SONOS存储器单元面积的制造方法，其特征是，步骤6)中的温度为80～160℃，时间为60s～120s。

7.根据权利要求1所述的缩小SONOS存储器单元面积的制造方法，其特征是，步骤6)对硅片进行加热的加热方式为直接接触加热或红外线远距离加热，硅片加热时旋转或静止。

8.根据权利要求1所述的缩小SONOS存储器单元面积的制造方法，其特征是，步骤2)和步骤4)中的光刻工艺所使用的材料为G线光刻胶，I线光刻胶，I线光刻胶+I线抗反射阻挡层，KrF光刻胶+KrF抗反射阻挡层，或ArF光刻胶+ArF抗反射阻挡层。

9.根据权利要求1所述的缩小SONOS存储器单元面积的制造方法，其特征是，步骤7)采用HF湿法刻蚀去除SiO2。