[发明专利]横向扩散MOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 200910057403.9 | 申请日： | 2009-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101924131A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 苏庆;徐向明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向扩散MOS器件，在深阱中的漏极的扩散区与栅极的阱区之间的场氧化区下方还包括杂质类型与深阱杂质类型相反的注入区。本发明还公开了一种横向扩散MOS器件的制备方法，还包括一个在深阱中的漏极的扩散区与栅极的阱区之间的场氧化区下方形成与深阱杂质类型相反的注入区的步骤。本发明增加一个注入步骤，在深阱的漏极的扩散区与栅极的阱区之间的场氧化区下方形成一个与深阱杂质类型相反的注入区，从而引导油寄生晶体管来的电流大部分经体内流向ESD器件的源端，从而提高整体的ESD能力。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 mos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种横向扩散MOS器件，其特征在于，在深阱中的漏极的扩散区与栅极的阱区之间的场氧化区下方还包括杂质类型与深阱杂质类型相反的注入区。
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