[发明专利]具有载子提供层的多层量子阱氮化物发光二极管

摘要

本发明公开了一种多层量子阱发光二极管结构，其在发光层的一侧设置有一载子提供层，以提供额外的载子给发光层参与重新结合，该载子提供层包含有多层交替堆栈的阱层和势垒层，这些阱层和势垒层各具有的厚度，载子提供层总厚度为1nm-500nm。阱层和势垒层都是由掺杂Si或Ge的AlpInqGa1-p-qN(p，q≥0，0≤p+q≤1)化合物半导体所制成，但各具有不同的组成，其中势垒层具有高于井层的能带隙。载子提供层的电子浓度是在1×1017-5×1021/cm3之间。本发明的多层量子阱发光二极管结构可以避免/降低发光层内杂质的使用。

主权项

一种多层量子阱氮化物发光二极管结构，至少包含：一个基板；一个第一接触层，位于基板上方，并且第一接触层是由具有第一导电型的GaN系材料制成；一个载子提供层，位于第一接触层的上方，载子提供层由至少两层阱层与至少两层势垒层交替堆栈而成，阱层与势垒层各由掺杂有n型杂质的GaN系材料制成，势垒层具有高于该阱层的能带隙；一个发光层，位于载子提供层上方，发光层是具有由多层的阱层与势垒层所构成的MQW结构，阱层与势垒层各由GaN系材料制成；以及一个第二接触层，位于发光层上方，第二接触层是由具有与第一导电型相反的第二导电型的GaN系材料制成；其特征是：载子提供层的阱层具有高于发光层的阱层能带隙。