[发明专利]具有载子提供层的多层量子阱氮化物发光二极管

权利要求书

1.一种多层量子阱氮化物发光二极管结构，至少包含：

一个基板；

一个第一接触层，位于基板上方，并且第一接触层是由具有第一导电型的GaN系材料制成；

一个载子提供层，位于第一接触层的上方，载子提供层由至少两层阱层与至少两层势垒层交替堆栈而成，阱层与势垒层各由掺杂有n型杂质的GaN系材料制成，势垒层具有高于该阱层的能带隙；

一个发光层，位于载子提供层上方，发光层是具有由多层的阱层与势垒层所构成的MQW结构，阱层与势垒层各由GaN系材料制成；以及

一个第二接触层，位于发光层上方，第二接触层是由具有与第一导电型相反的第二导电型的GaN系材料制成；

其特征是：载子提供层的阱层具有高于发光层的阱层能带隙。

2.根据权利要求1所述的多层量子阱氮化物发光二极管结构，其特征是：进一步包含一个缓冲层，位于基板与第一接触层之间，缓冲层以GaN系材料制成。

3.根据权利要求2所述的多层量子阱氮化物发光二极管结构，其特征是：缓冲层的GaN系材料是Al_aGa_bIn_1-a-bN(0≤a，b＜1，a+b≤1)。

4.根据权利要求1所述的多层量子阱氮化物发光二极管结构，其特征是：载子提供层的阱层与势垒层的n型杂质是Si与Ge二者之一。

5.根据权利要求1所述的多层量子阱氮化物发光二极管结构，其特征是：载子提供层的阱层与势垒层各具有的厚度。

6.根据权利要求1所述的多层量子阱氮化物发光二极管结构，其特征是：载子提供层具有1nm-500nm的厚度。

7.根据权利要求1所述的多层量子阱氮化物发光二极管结构，其特征是：载子提供层具有1×10¹⁷/cm³～5×10²¹/cm³的电子浓度。

8.根据权利要求1所述的多层量子阱氮化物发光二极管结构，其特征是：发光层的阱层与势垒层的GaN系材料是Al_xIn_yGa_1-x-yN(x，y≥0，0≤x+y≤1)。

9.根据权利要求1所述的多层量子阱氮化物发光二极管结构，其特征是：发光层的阱层与势垒层的GaN系材料未加掺杂。

10.根据权利要求1所述的多层量子阱氮化物发光二极管结构，其特征是：发光层的阱层与势垒层的GaN系材料是Al_pIn_qGa_1-p-qN(p，q≥0，0≤p+q≤1)。

11.根据权利要求1所述的多层量子阱氮化物发光二极管结构，其特征是：进一步包含位于载子提供层与发光层之间的一个空穴阻隔层，空穴阻隔层由具有高于发光层的能带隙的GaN系材料制成。

12.根据权利要求11所述的多层量子阱氮化物发光二极管结构，其特征是：空穴阻隔层具有-0.5μm的厚度。

13.根据权利要求11所述的多层量子阱氮化物发光二极管结构，其特征是：空穴阻隔层的GaN系材料未加掺杂。

14.根据权利要求11所述的多层量子阱氮化物发光二极管结构，其特征是：空穴阻隔层的GaN系材料掺杂有杂质，该杂质是Si、In、与Si/In三者之一。