[发明专利]一种可减少基片背面聚合物的结构有效
| 申请号： | 200910056087.3 | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101989544A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 倪图强;孟双;徐朝阳 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C30B33/12 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱九皋 |
| 地址： | 201201 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可减少基片背面聚合物沉积的结构，其设置在等离子体处理室中，包含围绕设置于基座外周侧的聚焦环，该聚焦环具有一延伸部，其至少部分地延伸至基片背面的边缘之下；以及设置于基片的背面之下并且介于所述基座的外周侧及所述聚焦环的延伸部之间的导体环。本发明通过插入的导体环限制基片背面处的温度，从而限制因高温使得聚焦环上的碳化物热裂解并在基片背面形成聚合物，在有效减少基片背面聚合物的同时，保证基片蚀刻的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 背面 聚合物 结构 | ||
【主权项】：
一种可减少基片背面聚合物的结构，其围绕设置于一等离子体处理室中的基片(2)的基座(1)的外周侧，所述基片(2)的边缘突出于所述的基座(1)的上表面(102)的边缘，特征在于，所述的减少基片背面聚合物的结构包含：一聚焦环(12)，其围绕设置于所述基座(1)的外周侧；该聚焦环(12)具有一延伸部(123)，其至少部分地延伸至基片(2)背面的边缘之下；以及一导体环(13)，其设置于基片(2)的背面之下，并且介于所述基座(1)的外周侧及所述聚焦环(12)的延伸部(123)之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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