[发明专利]一种可减少基片背面聚合物的结构

权利要求书

1.一种可减少基片背面聚合物的结构，其围绕设置于一等离子体处理室中的基片(2)的基座(1)的外周侧，所述基片(2)的边缘突出于所述的基座(1)的上表面(102)的边缘，特征在于，所述的减少基片背面聚合物的结构包含：

一聚焦环(12)，其围绕设置于所述基座(1)的外周侧；该聚焦环(12)具有一延伸部(123)，其至少部分地延伸至基片(2)背面的边缘之下；以及

一导体环(13)，其设置于基片(2)的背面之下，并且介于所述基座(1)的外周侧及所述聚焦环(12)的延伸部(123)之间。

2.如权利要求1所述的可减少基片背面聚合物的结构，其特征在于，所述的导体环(13)由硅、碳化硅或者石墨制成。

3.如权利要求1所述的可减少基片背面聚合物的结构，其特征在于，所述的聚焦环(12)由硅、硅碳化物、铝氧化物、铝氮化物、硅氮化物、或者石英制成。

4.如权利要求3所述的可减少基片背面聚合物的结构，其特征在于，所述的聚焦环(12)沿其延伸部(123)的上表面分隔形成第一聚焦环(121)和第二聚焦环(122)；其中，

所述的第一聚焦环(121)围绕设置于所述基座(1)的外周侧；

所述的第二聚焦环(122)包含延伸部(123)，其至少部分地延伸至基片(2)背面的边缘之下。

5.如权利要求1所述的可减少基片背面聚合物的结构，其特征在于，所述的导体环(13)的上表面和所述聚焦环延伸部(123)的上表面是位于同一平面的。

6.如权利要求1所述的可减少基片背面聚合物的结构，其特征在于，所述的等离子体处理室中还包含有围绕设置于所述基座(1)的外周侧的绝缘环(11)；所述的聚焦环(12)和导体环(13)设置于该绝缘环(11)之上，且覆盖整个绝缘环(11)的顶部表面。

7.如权利要求6所述的可减少基片背面聚合物的结构，其特征在于，还包含一围绕聚焦环(12)的外周侧设置的覆盖环(14)，其覆盖在所述的绝缘环(11)的外径处上表面(111)之上。

8.如权利要求7所述的可减少基片背面聚合物的结构，其特征在于，所述的覆盖环(14)是在聚焦环(12)上形成的径向向外延伸的部分，即覆盖环(14)与聚焦环(12)是一体形成的。

9.如权利要求6所述的可减少基片背面聚合物的结构，其特征在于，还包含若干贯穿设置在绝缘环(11)中的冷却通道，其传递冷却物体至聚焦环(12)和/或导体环(13)。

10.一种等离子体处理室，其特征在于，包含基片(2)，用于放置该基片(2)的基座(1)，以及围绕设置于该基座(1)的外周侧的可减少基片背面聚合物的结构；其中，

所述的基片(2)的边缘突出于所述的基座(1)的上表面(102)的边缘；

所述的减少基片背面聚合物的结构包含：

一聚焦环(12)，其围绕设置于所述基座(1)的外周侧；该聚焦环(12)具有一延伸部(123)，其至少部分地延伸至基片(2)背面的边缘之下；以及

一导体环(13)，其设置于基片(2)的背面之下，并且介于所述基座(1)的外周侧及所述聚焦环(12)的延伸部(123)之间。

11.如权利要求10所述的等离子体处理室，其特征在于，所述的基座(1)还包含一位于其上表面(102)上的、用于安装基片(2)的基片支撑件，该基片支撑件包含静电卡盘(3)和埋设在该静电卡盘(3)内的直流电极(4)。

12.如权利要求10所述的等离子体处理室，其特征在于，所述的聚焦环(12)沿其延伸部(123)的上表面分隔形成第一聚焦环(121)和第二聚焦环(122)；其中，

所述的第一聚焦环(121)围绕设置于所述基座(1)的外周侧；

所述的第二聚焦环(122)包含延伸部(123)，其至少部分地延伸至基片(2)背面的边缘之下。

13.如权利要求10所述的等离子体处理室，其特征在于，所述的导体环(13)的上表面和所述聚焦环延伸部(123)的上表面是位于同一平面的。