[发明专利]掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法有效
| 申请号： | 200910055381.2 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101599431A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 董耀旗;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法，应用于闪存器件的浮栅制作，该方法包括下列步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一绝缘层；在所述绝缘层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成掩模层；对所述掩模层进行等离子干法刻蚀并停止在所述第二绝缘层上形成凹槽。本发明提出一种掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法，其能够有效减少在闪存器件的浮栅制作工艺中的掩模刻蚀制程的多晶硅损失，使得制成的闪存器件具有良好的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 制程中 减少 多晶 损失 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法，应用于闪存器件的浮栅制作，其特征在于，该方法包括下列步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一绝缘层；在所述绝缘层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成掩模层；对所述掩模层进行等离子干法刻蚀并停止在所述第二绝缘层上形成凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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