[发明专利]掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法

权利要求书

1.一种掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法，应用于闪存器件的浮栅制 作，其特征在于，该方法包括下列步骤：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成第一绝缘层；

在所述绝缘层上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成掩模层；

其中，所述掩模层的材料为氮化硅，所述第一绝缘层和第二绝缘层的材料 为氧化硅。

对所述掩模层进行等离子干法刻蚀并停止在所述第二绝缘层上形成凹槽。

2.根据权利要求1所述的掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法，其特征 在于，所述掩模层的厚度为500埃～10000埃。

3.根据权利要求1所述的掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法，其特征 在于，所述第二绝缘层的厚度为20埃～600埃。

4.根据权利要求1所述的掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法，其特征 在于，该方法还包括：

在所述凹槽以及掩模层上沉积氧化硅层；

对所述氧化硅层进行各向异性干法刻蚀，刻蚀停止在多晶硅层上，从而在 凹槽的侧壁形成氧化硅侧墙。