[发明专利]栅氧化硅层氮元素掺入方法及栅氧化硅层结构制造工艺无效
| 申请号： | 200910055380.8 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101964305A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 邓都;汤舍予;刘理想 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/225;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅氧化硅层氮元素掺入方法，包括：在形成栅氧化硅层的主氧化过程或退火过程中通入气体流量比例为1∶3的N2和O2，在形成的氧化硅层上形成氮氧化硅层，使得氮元素扩散至栅氧化硅层。本发明提供的栅氧化硅层氮元素掺入方法采用特定比例的N2和O2的混合气氛代替N2O，使得在不具备单独N2O供应系统的高温炉内的可有效实现栅氧化硅层的氮元素掺入。相比于单纯在惰性气体中进行的退火工艺，采用在此种特殊混合气氛的工艺条件下进行的退火具有更低的热预值，并且边氧化边退火的工艺使形成的栅氧化硅层的质量和致密度更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 硅层氮 元素 掺入 方法 结构 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种栅氧化硅层氮元素掺入方法，包括：在形成栅氧化硅层的主氧化过程或退火过程中通入气体流量比例为1∶3的N2和O2，在形成的氧化硅层上形成氮氧化硅层，使得氮元素扩散至栅氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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