[发明专利]栅氧化硅层氮元素掺入方法及栅氧化硅层结构制造工艺无效
| 申请号： | 200910055380.8 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101964305A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 邓都;汤舍予;刘理想 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/225;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 硅层氮 元素 掺入 方法 结构 制造 工艺 | ||
1.一种栅氧化硅层氮元素掺入方法，包括：在形成栅氧化硅层的主氧化过程或退火过程中通入气体流量比例为1∶3的N2和O2，在形成的氧化硅层上形成氮氧化硅层，使得氮元素扩散至栅氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的栅氧化硅层氮元素掺入方法，其特征在于，所述氮氧化硅层的厚度为
3.根据权利要求1所述的栅氧化硅层氮元素掺入方法，其特征在于，所述N2的气体流量为4-6SLM，所述O2的气体流量为12-18SLM。
4.根据权利要求1所述的栅氧化硅层氮元素掺入方法，其特征在于，所述退火过程的温度为850℃-950℃。
5.根据权利要求4所述的栅氧化硅层氮元素掺入方法，其特征在于，所述退火过程的腔室压力为700-800Torr，退火时间为10-20分钟。
6.一种栅氧化硅层结构制造工艺，包括：
对半导体衬底进行主氧化，形成氧化硅层；
在气体流量比例为1∶3的N2和O2气氛中进行退火，在氧化硅层上形成氮氧化硅层。
7.根据权利要求6所述的栅氧化硅层结构制造工艺，其特征在于，所述氮氧化硅层的厚度为
8.根据权利要求6所述的栅氧化硅层结构制造工艺，其特征在于，所述N2的气体流量为4-6SLM，所述O2的气体流量为12-18SLM。
9.根据权利要求6所述的栅氧化硅层结构制造工艺，其特征在于，所述主氧化为干法氧化或湿法氧化。
10.根据权利要求6所述的栅氧化硅层结构制造工艺，其特征在于，所述退火过程的温度为850℃-950℃。
11.根据权利要求6所述的栅氧化硅层结构制造工艺，其特征在于，所述退火过程的腔室压力为700-800Torr，退火时间为10-20分钟。
12.一种栅氧化硅层结构制造工艺，包括：
对半导体衬底进行主氧化，形成氧化硅层；
通入气体流量比例为1∶3的N2和O2气氛，在氧化硅层上形成氮氧化硅层；
对所述半导体衬底进行退火处理。
13.根据权利要求12所述的栅氧化硅层结构制造工艺，其特征在于，所述氮氧化硅层的厚度为
14.根据权利要求12所述的栅氧化硅层结构制造工艺，其特征在于，所述N2的气体流量为4-6SLM，所述O2的气体流量为12-18SLM。
15.根据权利要求12所述的栅氧化硅层结构制造工艺，其特征在于，所述主氧化为干法氧化或湿法氧化。
16.根据权利要求12所述的栅氧化硅层结构制造工艺，其特征在于，所述形成氮氧化硅层的过程的温度为850℃-950℃。
17.根据权利要求12所述的栅氧化硅层结构制造工艺，其特征在于，所述形成氮氧化硅层的过程的腔室压力为700-800Torr。
18.根据权利要求12所述的栅氧化硅层结构制造工艺，其特征在于，所述形成氮氧化硅层的过程的时间为10-20分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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