[发明专利]存储器编程方法无效
| 申请号： | 200910055370.4 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101650968A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 杨潇楠;孔蔚然;张博;王永 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40;G11C16/10;G11C17/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储器编程方法，在进行编程时，源极接地，栅极接有栅极电压，漏极接有漏极电压，在编程过程中分多次向漏极施加不同的漏极电压。后一次施加的漏极电压均在前一次的漏极电压基础上增加一电压值。所述电压值的取值范围为0.5V～2V。向漏极施加的初始漏极电压为5V～10V。所述栅极电压为稳定电压。与现有技术相比，本发明的存储器编程方法，在完成第一次电压操作后，在原有电压值上增加一电压值，使得热电子在邻近上一次热电子发生的位置上，获得足够的能量跃迁进入存储单元内，如此，经过若干次后，即可在存储单元内获得均匀分布的电子，避免了作为存储信息的电子集中在一起而降低关断性能，导致整个器件性能的下降。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器编程方法，在进行编程时，源极接地，栅极接有栅极电压，漏极接有漏极电压，其特征在于：在编程过程中分多次向漏极施加不同的漏极电压。
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