[发明专利]存储器编程方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储器的操作方法，具体的，涉及一种存储器编程方法。

背景技术

半导体存储器存储信息是通过热电子注入即编程(program)来实现的，它利用高电场加速得到热电子，使得热电子在电场的作用下在源极和漏极之间形成的沟道中运动，并向漏极移动，在靠近漏极的高电场内获得足够的动能，当热电子能量足够高时，就会离开沟道，跳跃到存储器内的存储单元例如浮栅内，并被牢牢地锁在存储单元中，从而实现编程的操作。

请参阅图1，图1为现有技术的存储器编程示意图，编程时，分别在栅极1上施加栅极电压V_g，源极2接地，漏极3上施加漏极电压V_d，于是在源极2和漏极3之间形成沟道4，靠近漏极3处的热电子5处于高的电场强度环境中，获得足够动能后，发生跃迁，如图中箭头所示，注入到存储单元6内。对于由纳米晶体层(nanocrystal)作为存储单元的纳米晶体存储器或者用氮化层作为存储单元的SONOS(硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅)存储器，纳米晶体层以及氮化层均为绝缘介质，电子无法在绝缘介质内自由移动。因此，热电子发生跃迁进入纳米晶体层或者氮化层时，往往集中在靠近漏极电场最强的位置，在远离漏极的绝缘介质则无法捕获到热电子，导致用于存储信息的电子被集中在一个位置，分布不均匀，严重降低器件关断(shut off)性能，从而降低器件的整体性能。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提供一种存储器编程方法，在存储单元内获得均匀分布的电子，提升器件性能。

为了实现本发明目的，本发明提供一种存储器编程方法，在进行编程时，源极接地，栅极接有栅极电压，漏极接有漏极电压，在编程过程中分多次向漏极施加不同的漏极电压。

进一步的，后一次施加的漏极电压均在前一次的漏极电压基础上增加一电压值。

进一步的，所述电压值的取值范围为0.5V～2V。

进一步的，向漏极施加的初始漏极电压为5V～10V。

进一步的，所述栅极电压为稳定电压。

与现有技术相比，本发明的存储器编程方法，在完成第一次电压操作后，在原有电压值上增加一电压值，使得热电子在邻近上一次热电子发生的位置上，获得足够的能量跃迁进入存储单元内，如此，经过若干次后，即可在存储单元内获得均匀分布的电子，避免了作为存储信息的电子集中在一起而降低关断性能，导致整个器件性能的下降。

附图说明

图1为现有技术的存储器编程示意图；

图2为本发明实施例中的存储器编程示意图。

具体实施方式

为了更清楚了解本发明的技术内容，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。

请参阅图2，图2为本发明实施例中的存储器编程示意图，本发明实施例中，以纳米晶体存储器为例加以说明。纳米晶体存储器中用于存储信息的存储单元为纳米晶体层6。