[发明专利]光刻胶层残留物的清洗方法无效
| 申请号： | 200910054836.9 | 申请日： | 2009-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101957564A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 杨永刚;刘轩;肖志强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明中公开了一种光刻胶层残留物的清洗方法，该方法包括：增加水洗槽中各个喷嘴层中的喷嘴数目；调整所述水洗槽中的片架的位置，以减小所述水洗槽中第一喷嘴层中的喷嘴与所述片架上的晶片之间的最小直线距离，并增加所述片架与水洗槽底部的直线距离；将所需清洗的晶片放于所述水洗槽中的片架中，对所述晶片进行清洗，以去除所述晶片表面的光刻胶层残留物。通过使用上述的光刻胶层残留物的清洗方法，可有效地去除晶片表面的光刻胶层残留物，提高晶片表面的清洁度。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 残留物 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻胶层残留物的清洗方法，该方法包括：增加水洗槽中各个喷嘴层中的喷嘴数目；将所需清洗的晶片放于所述水洗槽中的片架中，调整所述水洗槽中的片架的位置，以减小所述水洗槽中第一喷嘴层中的喷嘴与所述片架上的晶片之间的最小直线距离，并增加所述片架与水洗槽底部的直线距离；对所述晶片进行清洗，以去除所述晶片表面的光刻胶层残留物。
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