[发明专利]光刻胶层残留物的清洗方法

权利要求书

1.一种光刻胶层残留物的清洗方法，该方法包括：

增加水洗槽中各个喷嘴层中的喷嘴数目；

将所需清洗的晶片放于所述水洗槽中的片架中，调整所述水洗槽中的片架的位置，以减小所述水洗槽中第一喷嘴层中的喷嘴与所述片架上的晶片之间的最小直线距离，并增加所述片架与水洗槽底部的直线距离；

对所述晶片进行清洗，以去除所述晶片表面的光刻胶层残留物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

增加喷嘴后的各个喷嘴层中的喷嘴数目大于或等于25对/层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述增加水洗槽中各个喷嘴层中的喷嘴数目的同时，该方法还进一步包括：

改变每个喷嘴层中各个喷嘴的排列方式或设置方式。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述改变每个喷嘴层中各个喷嘴的排列方式或设置方式包括：

将每个喷嘴层设置成上喷嘴层和下喷嘴层，所述上喷嘴层和下喷嘴层中的喷嘴彼此之间间隔排列，且同一层中的喷嘴之间的间隔相等。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述水洗槽中第一喷嘴层中的喷嘴与所述片架上的晶片之间的最小直线距离为5～24mm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调整水洗槽中的片架的位置包括：

提升所述水洗槽中的片架的高度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述提升所述水洗槽中的片架的高度的同时，该方法还进一步包括：

移除所述水洗槽中的顶盖。

8.根据权利要求1～7中任一所述的方法，其特征在于：

所述第一喷嘴层为预先标识的喷嘴层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：

所述预先标识的喷嘴层为所述水洗槽中的最上一层的喷嘴层。