[发明专利]MOS晶体管及其制作方法有效
申请号: | 200910054411.8 | 申请日: | 2009-07-03 |
公开(公告)号: | CN101937848A | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 肖德元;季明华;吴汉明 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/324;H01L29/78;H01L29/423 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种MOS晶体管及其制作方法。其中MOS晶体管包括:硅基底、位于硅基底上的氧化层和位于氧化层上的顶层硅,其中顶层硅由第一p型单晶硅层、第一n型单晶硅层、第二p型单晶硅层和第二n型单晶硅层组成;位于第一p型单晶硅层中央的第一栅极通孔;位于第二p型单晶硅层中央的第二栅极通孔;位于第一栅极通孔和第二栅极通孔内壁以及第二n型单晶硅层上的栅介质层和栅极;位于栅极两侧源/漏极区域内的源/漏极延伸区;位于栅极两侧源/漏极区域的源/漏极;其中,第一n型单晶硅层和第二n型单晶硅层的边角圆滑。本发明提高芯片面积的利用率,解决由于边角电流强而造成的边角效应。 | ||
搜索关键词: | mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种MOS晶体管的制作方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包含硅基底、位于硅基底上的氧化层和位于氧化层上的顶层硅,所述顶层硅为n型单晶硅;向顶层硅内进行第一次p型离子注入形成第一p型单晶硅层,所述第一p型单晶硅层与氧化层接触;向顶层硅内进行第二次p型离子注入形成第二p型单晶硅层,所述第一p型单晶硅层和第二p型单晶硅层之间为第一n型单晶硅层,第二p型单晶硅层上为第二n型单晶硅层;进行退火工艺后,刻蚀第二n型单晶硅层、第二p型单晶硅层、第一n型单晶硅层和第一p型单晶硅层,定义源/漏极区域;在第一p型单晶硅层中央形成第一栅极通孔,第二p型单晶硅层中央形成第二栅极通孔;进行高温处理,使第一n型单晶硅层和第二n型单晶硅层的边角圆滑;对第一p型单晶硅层、第一n型单晶硅层、第二p型单晶硅层和第二n型单晶硅层进行掺杂形成同一导电类型的单晶硅层;在第一栅极通孔和第二栅极通孔内以及源/漏极区域周围依次形成栅介质层和栅极;在栅极两侧源/漏极区域的第一p型单晶硅层、第一n型单晶硅层、第二p型单晶硅层和第二n型单晶硅层内形成源/漏极延伸区和源/漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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