[发明专利]发光二极管芯片衬底结构的制备方法有效
| 申请号： | 200910052558.3 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101567415A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 袁根如;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管芯片衬底结构的制备方法，该方法包括以下步骤：在衬底表面上形成一层金属层；在所得的金属层上形成一层光刻胶膜层；利用回流技术使得到的光刻胶膜层回流；利用深紫外线对光刻胶膜层照射；再次利用回流技术使得到的光刻胶膜层回流以及将光刻胶层中的溶剂挥发干净；通过刻蚀将光刻胶膜层上的图案转移到该衬底上，在该衬底表面上形成多个凸形微结构。该方法可制造出具有优良微结构图形的衬底结构，从而减少发光二极管芯片的界面反射及内部吸收，改善外延生长的缺陷，提高芯片发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 衬底 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片衬底结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1) 在衬底表面上形成一层金属层；(2) 在步骤(1)所得的金属层上形成一层光刻胶膜层；(3) 利用光刻工艺将该光刻胶膜层图形化以形成所期望的图案；(4) 利用回流技术使步骤(3)所得到的光刻胶膜层回流；(5) 利用深紫外线对步骤(4)所得到的光刻胶膜层照射；(6) 再次利用回流技术使步骤(5)所得到的光刻胶膜层回流以及将光刻胶层中的溶剂挥发干净；(7) 利用干法刻蚀的方法将步骤(6)所得到的光刻胶膜层上的图案转移到该衬底上，在该衬底表面上形成多个凸形微结构。
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