[发明专利]发光二极管芯片衬底结构的制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片衬底结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)在衬底表面上形成一层金属层；

(2)在步骤(1)所得的金属层上形成一层光刻胶膜层；

(3)利用光刻工艺将该光刻胶膜层图形化以形成所期望的图案；

(4)利用回流技术使步骤(3)所得到的光刻胶膜层回流；

(5)利用深紫外线对步骤(4)所得到的光刻胶膜层照射；

(6)再次利用回流技术使步骤(5)所得到的光刻胶膜层回流以及将光刻胶层中的溶剂挥发干净；

(7)利用干法刻蚀的方法将步骤(6)所得到的光刻胶膜层上的图案转移到该衬底上，在该衬底表面上形成多个凸形微结构。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中采用电子束蒸镀或溅射技术在衬底表面形成金属层。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制备方法，其特征在于：所述金属层厚度为1nm～100nm。

4.根据权利要求1或3所述的发光二极管芯片衬底结构的制备方法，其特征在于：所述金属层选用材料为钛、镍、铝、铬其中之一。

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的光刻胶膜层厚度为0.5um～10um。

6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中光刻胶膜层图形化形成的所期望的图案为周期性排列的圆柱或圆台。

7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中的回流技术为平台低温回流技术；回流时的烘烤温度为50℃～250℃，时间为10秒钟～60分钟。

8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制备方法，其特征在于：步骤(5)所述深紫外线的波长为100～300nm，照射角度为0～90°，照射时间为3秒钟～30分钟。

9.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(6)中的回流技术是通过加热烘胶台对所述光刻胶膜层高温硬烤；回流时的烘烤温度为200℃～400℃，时间为1分钟～60分钟。

10.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(7)中的刻蚀方法为电感耦合等离子体反应离子蚀刻。

11.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(7)中衬底表面的多个凸形微结构为周期性排列的凸包形微结构或圆台。

12.根据权利要求11所述的发光二极管芯片衬底结构的制备方法，其特征在于：所述凸包形微结构的剖面轮廓线为弧线。

13.根据权利要求11所述的发光二极管芯片衬底结构的制备方法，其特征在于：所述衬底表面的多个凸形微结构的间距为0.5～5um，凸形微结构的底部直径为1～10um，高度为0.1～2.5um，该凸形微结构的侧面与底面所形成的角度大于0°小于等于90°。

14.根据权利要求1所述的发光二极管芯片衬底结构的制备方法，其特征在于：所述衬底的材料为蓝宝石。