[发明专利]化学机械研磨后的晶片清洗方法无效
| 申请号： | 200910052540.3 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101905221A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 黄孝鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B7/04;B08B1/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种化学机械研磨后的晶片清洗方法，包括：提供一化学机械研磨后的晶片；使用化学清洗液清洗所述晶片；其中所述化学清洗液的浓度为0.4％至0.8％。本发明可有效避免晶片表面出现坑状缺陷，并可达到较佳的化学机械研磨后残留物的去除效果，提高了半导体器件的可靠性及稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨后的晶片清洗方法，包括：提供一化学机械研磨后的晶片；使用浓度为0.4％至0.8％的化学清洗液清洗所述晶片。
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