[发明专利]化学机械研磨后的晶片清洗方法无效
| 申请号： | 200910052540.3 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101905221A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 黄孝鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B7/04;B08B1/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 晶片 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种化学机械研磨后的晶片清洗方法，包括：
提供一化学机械研磨后的晶片；
使用浓度为0.4％至0.8％的化学清洗液清洗所述晶片。
2.如权利要求1所述的化学机械研磨后的晶片清洗方法，其特征在于，所述化学清洗液为柠檬酸溶液。
3.如权利要求1所述的化学机械研磨后的晶片清洗方法，其特征在于，使用所述化学清洗液清洗所述晶片的时间为10秒至100秒。
4.如权利要求1所述的化学机械研磨后的晶片清洗方法，其特征在于，使用所述化学清洗液清洗所述晶片的同时使用毛刷擦洗所述晶片。
5.如权利要求4所述的化学机械研磨后的晶片清洗方法，其特征在于，所述毛刷的转速为300转每分钟至500转每分钟。
6.如权利要求1所述的化学机械研磨后的晶片清洗方法，其特征在于，使用所述化学清洗液清洗所述晶片之后，还包括：使用去离子水冲洗所述晶片并甩干的步骤。
7.如权利要求1所述的化学机械研磨后的晶片清洗方法，其特征在于，所述化学机械研磨是铜制程化学机械研磨。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910052540.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：球墨铸铁基刹车盘制备工艺
- 下一篇：卧式螺旋卸料沉降离心机转鼓
