[发明专利]InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法

摘要

本发明公开了一种InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法，包括步骤：待测晶片或器件经过扩散区域的剖面试样制备，剖面上扩散区及其附近区域微分电容显微分布的侦测，由微分电容显微分布特征确定PN结的位置和扩散深度。该方法适用于小尺寸的扩散窗口和平面型光电探测器光敏单元检测，空间分辨高并能提供侧向扩散深度的信息。

主权项

1. 一种InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法，该光电探测器至少包括一衬底，一底电极，一光敏层，一顶电极；其中底电极在衬底之上，为n型InP；光敏层在底电极层上方，为非掺杂i-InGaAs；顶电极层在光敏层上方，原片为非掺杂i-InP，经窗口杂质扩散局部形成p型区域。该方法特征在于其步骤为：1. )晶片抛角流片生成n型底电极层的欧姆接触；2. )划片，形成穿过待检测的扩散窗口区域的平整横断面；3. )以n型欧姆电极为公共电极，在剖面上侦测扩散窗口及其邻近区域的微分电容显微分布；4. )由微分电容显微分布确定PN结位置；5. )依据深度方向微分电容分布中PN结位置确定扩散深度；6. )依据侧向微分电容分布中PN结位置确定侧向扩散深度。