[发明专利]InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法

权利要求书

1.一种InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法，该光电探测器至少包括一衬底，一底电极，一光敏层，一顶电极；其中底电极在衬底之上，为n型InP；光敏层在底电极层上方，为非掺杂i-InGaAs；顶电极层在光敏层上方，原片为非掺杂i-InP，经窗口杂质扩散局部形成p型区域。该方法特征在于其步骤为：

1.)晶片抛角流片生成n型底电极层的欧姆接触；

2.)划片，形成穿过待检测的扩散窗口区域的平整横断面；

3.)以n型欧姆电极为公共电极，在剖面上侦测扩散窗口及其邻近区域的微分电容显微分布；

4.)由微分电容显微分布确定PN结位置；

5.)依据深度方向微分电容分布中PN结位置确定扩散深度；

6.)依据侧向微分电容分布中PN结位置确定侧向扩散深度。

2.根据权利要求1所述的一种InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法，其特征在于：其中在剖面上侦测扩散窗口及其邻近区域的微分电容显微分布的步骤包括使用扫描电容显微镜。

3.根据权利要求1所述的一种InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法，其特征在于：其中由微分电容显微分布确定PN结位置的步骤包括对结区微分电容分布特征的指认，即微分电容分布的拐点位置为PN结位置。

4.根据权利要求1所述的一种InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法，其特征在于：其中依据PN结位置确定扩散深度的步骤是指沿材料深度方向的微分电容分布中PN结特征位置至材料上表面位置的距离。

5.根据权利要求1所述的一种InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法，其特征在于：其中依据PN结位置确定侧向扩散深度的步骤是指沿横向的微分电容分布中PN结特征位置至扩散窗口边缘位置的距离的最大值。