[发明专利]一种具有高导电性插层结构的复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 200910049508.X | 申请日： | 2009-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101544823A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 李春忠;顾哲明;王庚超;张玲 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C08L79/04 | 分类号： | C08L79/04;C08G73/06;C08K9/00;C08K3/04 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 胡红芳 |
| 地址： | 200237*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高导电性插层结构的复合材料及其制备方法，即聚吡咯/氧化石墨复合材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)首先将氧化石墨分散在pH＝1～3的盐酸水溶液中，再加入表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵，室温下超声波处理30～60min，得到胶体分散液。(2)将吡咯单体加入到步骤(1)的胶体分散液中，磁力搅拌下，加入过硫酸铵，在0～5℃下进行乳液聚合3～24h。最后将产物抽滤，分别用丙酮、去离子水洗涤，干燥后得到高导电性的插层结构聚吡咯/氧化石墨复合物。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 导电性 结构 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有高导电性插层结构的复合材料，其特征在于，该复合材料由导电聚合物聚吡咯和氧化石墨经过乳液聚合进行复合，其中氧化石墨为主体、聚吡咯为客体，层间距为0.9～1nm，导电率为4～5S/cm。
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