[发明专利]一种具有高导电性插层结构的复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高导电性插层结构的复合材料，其特征在于，该复合材料由导电聚合物聚吡咯和氧化石墨经过乳液聚合进行复合，其中氧化石墨为主体、聚吡咯为客体，层间距为0.9～1nm，导电率为4～5S/cm；

所述乳液聚合方法如下：

首先，将所述氧化石墨分散在pH＝1～3的酸性水溶液中形成氧化石墨水溶液，再加入表面活性剂，室温下超声波处理30～60min，得到胶体分散液；所述表面活性剂与所述氧化石墨的质量比为1～5；

然后，将吡咯单体加入到所述胶体分散液中，磁力搅拌下，加入引发剂，在0～5℃下进行乳液聚合3～24h；所述吡咯单体与所述氧化石墨的质量比为1～5；所述吡咯单体与所述引发剂的摩尔比为1∶1。

2.权利要求1的具有高导电性插层结构的复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)首先将氧化石墨分散在pH＝1～3的酸性水溶液中形成氧化石墨水溶液，再加入表面活性剂，室温下超声波处理30～60min，得到胶体分散液；所述表面活性剂与所述氧化石墨的质量比为1～5；

(2)将吡咯单体加入到步骤(1)的胶体分散液中，磁力搅拌下，加入引发剂，在0～5℃下进行乳液聚合3～24h；所述吡咯单体与所述氧化石墨的质量比为1～5；所述吡咯单体与所述引发剂的摩尔比为1∶1；

(3)步骤(2)反应3～24h后即得到插层结构高导电性的聚吡咯/氧化石墨复合物。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂是摩尔浓度为0.05～0.5mol·L^-1的十六烷基三甲基溴化铵。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述引发剂是过硫酸铵。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨水溶液的浓度为1～2mg·ml^-1。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述酸性水溶液是盐酸水溶液。