[发明专利]测量接触孔孔径的图像捕获装置和图像捕获控制方法有效

申请号：	200910047632.2	申请日：	2009-03-16
公开（公告）号：	CN101840875A	公开（公告）日：	2010-09-22
发明（设计）人：	吴永玉;神兆旭	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66;H01L21/768;G05B19/418;G03F7/20
代理公司：	北京德琦知识产权代理有限公司 11018	代理人：	王一斌;王琦
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开了一种测量接触孔孔径的图像捕获装置，该装置包括扫描电子显微镜SEM，该装置还包括：第一控制单元，用于在旋涂于晶片的光阻胶上曝光形成所述接触孔的形状、以及尺寸大于所述接触孔的预设基准区域的形状后，控制所述SEM捕获所述基准区域的图像；第二控制单元，用于按照预先设置的接触孔形状相对于基准区域的位置关系，控制所述SEM相对于所述晶圆平移、直至表示接触孔形状的图像进入所述SEM的视野中，以捕获所述接触孔形状的图像；参数配置单元，用于存储所述接触孔形状相对于基准区域的位置关系。同时，本发明还公开了一种测量接触孔孔径的图像捕获控制方法，采用该方法和装置可提高图像捕获的效率。
搜索关键词：	测量接触孔径图像捕获装置控制方法
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【主权项】：

一种测量接触孔孔径的图像捕获装置，包括扫描电子显微镜SEM，其特征在于，该装置还包括：第一控制单元，用于在旋涂于晶片的光阻胶上曝光形成所述接触孔的形状、以及尺寸大于所述接触孔的预设基准区域的形状后，控制所述SEM捕获所述基准区域的图像；第二控制单元，用于按照预先设置的接触孔形状相对于基准区域的位置关系，控制所述SEM相对于所述晶圆平移、直至表示接触孔形状的图像进入所述SEM的视野中，以捕获所述接触孔形状的图像；参数配置单元，用于存储所述接触孔形状相对于基准区域的位置关系。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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