[发明专利]测量接触孔孔径的图像捕获装置和图像捕获控制方法有效

专利信息
申请号: 200910047632.2 申请日: 2009-03-16
公开(公告)号: CN101840875A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 吴永玉;神兆旭 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/768;G05B19/418;G03F7/20
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 王一斌;王琦
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 测量 接触 孔径 图像 捕获 装置 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种测量接触孔孔径的图像捕获装置,包括扫描电子显微镜SEM,其特征在于,该装置还包括:

第一控制单元,用于在旋涂于晶片的光阻胶上曝光形成所述接触孔的形状、以及尺寸大于所述接触孔的预设基准区域的形状后,控制所述SEM捕获所述基准区域的图像;

第二控制单元,用于按照预先设置的接触孔形状相对于基准区域的位置关系,控制所述SEM相对于所述晶圆平移、直至表示接触孔形状的图像进入所述SEM的视野中,以捕获所述接触孔形状的图像;

参数配置单元,用于存储所述接触孔形状相对于基准区域的位置关系。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述接触孔形状和所述基准区域均为多个;

该装置进一步包括:图像化交互平台,用于根据预先设置的每个基准区域的坐标、以及每个接触孔形状相对于任意基准区域的位置关系,显示包含所有接触孔形状和所有基准区域的图像化界面;

且,所述参数配置单元进一步用于存储预先设置的每个基准区域的坐标;

所述第一控制单元进一步根据所述图像化交互平台接收到的表示任一接触孔的第一选择指令,控制SEM捕获与该接触孔形状对应的基准区域的图像,或根据所述图像化交互平台接收到的表示任一基准区域的第二选择指令,直接控制SEM捕获第二选择指令所表示的基准区域的图像。

3.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,该装置进一步包括:第三控制单元,用于控制所述SEM针对所述基准区域的图像进行调焦;

且,所述第二控制单元进一步在所述调焦后,控制所述SEM相对于所述晶圆平移。

4.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述基准区域是由若干个接触孔的形状按照任意方式排列构成的。

5.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述基准区域和接触孔形状之间的距离小于10微米。

6.一种测量接触孔孔径的图像捕获控制方法,其特征在于,在旋涂于晶片的光阻胶上曝光形成所述接触孔的形状、以及尺寸大于所述接触孔的预设基准区域的形状后,该方法包括以下步骤:

控制扫描电子显微镜SEM捕获所述基准区域的图像;

按照预先设置的接触孔形状相对于基准区域的位置关系,控制所述SEM相对于所述晶圆平移、直至表示接触孔形状的图像进入所述SEM的视野中,以捕获所述接触孔形状的图像。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述接触孔形状和所述基准区域均为多个;

该方法进一步根据预先设置的基准区域的坐标、以及每个接触孔形状相对于任意基准区域的位置关系,显示包含所有接触孔形状和所有基准区域的图像化界面;

且,该方法进一步根据所述图像化界面接收到的表示任一接触孔形状的第一选择指令,控制SEM捕获与该接触孔形状对应的基准区域的图像,或根据所述图像化界面接收到的表示任一基准区域的第二选择指令,直接控制SEM捕获第二选择指令所表示的基准区域的图像。

8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,在控制所述SEM相对于所述晶圆平移之前,该方法进一步控制所述SEM针对所述基准区域的图像进行调焦。

9.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述基准区域是由若干个接触孔的形状按照任意方式排列构成的。

10.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述基准区域和接触孔形状之间的距离小于10微米。

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