[发明专利]巯基单或多元有机酸表面修饰的Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点及其制备方法无效
| 申请号： | 200910047358.9 | 申请日： | 2009-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101508416A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 俞本伟;沈悦;张建成;颜浩 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种巯基单或多元有机酸表面修饰的II-VI族半导体量子点及其制备方法。该方法具体包括前驱体溶液的制备、量子点的制备等步骤。本发明的量子点是以巯基单(或多)元酸包裹的CdX，(X＝S，Se，Te)或ZnX，(X＝S，Se，Te)而形成的量子点，其中巯基单(或多)元酸与CdX或ZnX的摩尔比为2∶1～3∶1；量子点的粒径为2.0-6.0nm。本发明以气体为碲(或硫，硒)源，通过通入H2X(X＝S，Se，Te)，减少了前驱体溶液的杂志成分，并通过巯基单(或多)元酸的优良亲水性，所制备的II-VI族半导体CdX(X＝S，Se，Te)和ZnX(X＝S，Se，Te)等量子点，分散度较好，荧光范围广，量子产率高达80％以上。同时，毒性小，生物相容性佳，操作较易，可用于药物示踪，诊断性标识等。 | ||
| 搜索关键词： | 巯基 多元 有机酸 表面 修饰 半导体 量子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种巯基单或多元有机酸表面修饰的II-VI族半导体量子点，其特征在于该量子点以巯基单或多元有机酸包裹CdX或ZnX，X＝S，Se，Te而形成的量子点，其中巯基单或多元有机酸与CdX或ZnX的摩尔比为(1.5～3)∶1；量子点的粒径为2.0～6.0nm。
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