[发明专利]巯基单或多元有机酸表面修饰的Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点及其制备方法无效
申请号: | 200910047358.9 | 申请日: | 2009-03-11 |
公开(公告)号: | CN101508416A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 俞本伟;沈悦;张建成;颜浩 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | B82B1/00 | 分类号: | B82B1/00;B82B3/00 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 陆聪明 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 巯基 多元 有机酸 表面 修饰 半导体 量子 及其 制备 方法 | ||
1.一种巯基单或多元有机酸表面修饰的II-VI族半导体量子点,其特征在于该量子点以巯基单或多元有机酸包裹CdX或ZnX,X=S,Se,Te而形成的量子点,其中巯基单或多元有机酸与CdX或ZnX的摩尔比为(1.5~3):1;量子点的粒径为2.0~6.0nm。
2.根据权利要求1所述的巯基单或多元有机酸表面修饰的II-VI族半导体量子点,其特征在于所述巯基单元有机酸有:巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、巯基戊酸、二氢硫辛酸或半胱氨酸;所述巯基多元有机酸有:巯基丁二酸、二巯基丁二酸、半胱氨酸谷氨酸寡肽或半胱胺酸天冬氨酸寡肽;;及上述任意比例构成的巯基单元、多元有机酸的混合物。
3.一种制备根据权利要求1或2所述的巯基单或多元有机酸表面修饰的II-VI族半导体量子点方法,其特征在于该方法的具体步骤如下:
a.将可溶性镉盐或锌盐溶于水配制成浓度为0.1~1M的水溶液,加入巯基单或多元有机酸,镉盐或锌盐与稳定剂巯基单或多元有机酸的摩尔比是1:(2~3),调节该溶液的pH为7~13,得到的溶液称为溶液A;
b.在惰性气氛下,将硒粉或碲粉和硼氢化钠按照1:(2~4)的摩尔比溶于水中,反应至溶液颜色至桃红色,并有白色沉淀出现,即制成硒氢化钠或碲氢化钠溶液,称之为溶液B;将该溶液B降至冰点,滴入硫酸,控制硫酸的浓度和滴加的速度,使反应趋于平稳,产生气体C,将该气体C通入上述的溶液A中,反应至溶液A由无色转变为棕黄色,得到前驱体溶液;或者,在惰性气氛下,将硫化钠和硫酸反应,控制硫酸的浓度和加入速度,使反应趋于平稳,得到气体D,将该气体D通入上述的溶液A中,反应至溶液A由无色转变为棕黄色,得到前驱体溶液;
c.将上述的前驱体溶液加热回流0.5-48小时,得到巯基单或多元有机酸包裹的CdX或ZnX,X=S,Se,Te量子点。
4.根据权利要求3所述的巯基单或多元有机酸表面修饰的II-VI族半导体量子点的制备方法,其特征在于所述的可溶性镉盐有:氯化镉、硝酸镉、硫酸镉或醋酸镉;所述的可溶性锌盐为:氯化锌、硝酸锌、硫酸锌或醋酸锌。
5.根据权利要求3所述的巯基单或多元有机酸表面修饰的II-VI族半导体量子点的制备方法,其特征在于所述巯基单元有机酸有:巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、巯基戊酸、二氢硫辛酸或半胱氨酸;所述巯基多元有机酸有:巯基丁二酸、二巯基丁二酸、半胱氨酸谷氨酸寡肽或半胱胺酸天冬氨酸寡肽;;及上述任意比例构成的巯基单元、多元有机酸的混合物。
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