[发明专利]碲镉汞红外探测芯片中碲化镉钝化膜的金属化开口方法

摘要

本发明公开了一种碲镉汞红外探测芯片中碲化镉钝化膜的金属化开口方法。该方法涉及碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面探测器的制备工艺，具体包括HgCdTe探测芯片碲化镉(CdTe)钝化膜选择性腐蚀液的配制以及利用该腐蚀液进行探测器芯片金属化开口的方法。结果表明，该腐蚀液对CdTe和HgCdTe材料具有高腐蚀选择比，且溶液稳定，腐蚀速率可控。这是一种工艺稳定便捷，不影响其他表面处理工艺的开口方法，有助于改善器件表明性能，提高工艺稳定性，对于实现CdTe钝化应用于焦平面器件工艺中至关重要。

主权项

1.一种碲镉汞红外探测芯片中碲化镉钝化膜的金属化开口方法，其特征在于：它包括以下步骤：A.将氟塑料杯置于装有冰水混合物的玻璃器皿中，放在磁力搅拌器上，等氟塑料杯的温度达到稳定，按照腐蚀液原液的配比加入所需氢氟酸，打开磁力搅拌器，缓缓加入重铬酸钾和硝酸，带其充分溶解后加入乳酸；B.然后按照所需腐蚀钝化层厚度以及电极孔孔径大小用去离子水稀释腐蚀液原液，稀释后的原液仍然保持在0℃左右，并用氟塑料器皿密封盖住，以免溶质挥发产生危险并影响腐蚀液浓度；C.将光刻后的芯片样品装于自行设计的氟塑料腐蚀架上，使用纯盐酸进行3～5秒腐蚀，完成腐蚀电极孔ZnS层后，用去离子水冲洗样品表面1～2分钟；D.最后在冰水混合物温度下，使用磁力搅拌，用稀释后的CdTe腐蚀液按试验确定的腐蚀时间对芯片的CdTe层进行腐蚀，腐蚀完毕后将芯片置于流动的去离子水中冲洗5分钟，完成整个双层钝化开电极孔工艺。