[发明专利]碲镉汞红外探测芯片中碲化镉钝化膜的金属化开口方法

权利要求书

1.一种碲镉汞红外探测芯片中碲化镉钝化膜的金属化开口方法，其特征在于：它包括以下步骤：

A.将氟塑料杯置于装有冰水混合物的玻璃器皿中，放在磁力搅拌器上，等氟塑料杯的温度达到稳定，按照腐蚀液原液的配比加入所需氢氟酸，打开磁力搅拌器，缓缓加入重铬酸钾和硝酸，带其充分溶解后加入乳酸；

B.然后按照所需腐蚀钝化层厚度以及电极孔孔径大小用去离子水稀释腐蚀液原液，稀释后的原液仍然保持在0℃左右，并用氟塑料器皿密封盖住，以免溶质挥发产生危险并影响腐蚀液浓度；

C.将光刻后的芯片样品装于自行设计的氟塑料腐蚀架上，使用纯盐酸进行3～5秒腐蚀，完成腐蚀电极孔ZnS层后，用去离子水冲洗样品表面1～2分钟；

D.最后在冰水混合物温度下，使用磁力搅拌，用稀释后的CdTe腐蚀液按试验确定的腐蚀时间对芯片的CdTe层进行腐蚀，腐蚀完毕后将芯片置于流动的去离子水中冲洗5分钟，完成整个双层钝化开电极孔工艺。

2.根据权利要求1所述的一种碲镉汞红外探测芯片中碲化镉钝化膜的金属化开口方法，其特征在于，所述的腐蚀液原液的配比为：

重铬酸钾∶氢氟酸∶乳酸∶硝酸比例＝5g∶10ml∶5ml∶25ml。

3.根据权利要求1所述的一种碲镉汞红外探测芯片中碲化镉钝化膜的金属化开口方法，其特征在于：步骤B中所述的离子水稀释腐蚀液原液的比例以及步骤D中所述的按试验确定的腐蚀时间按以下试验数据确定：

CdTe钝化层厚度为5000时，腐蚀原液与去离子水的稀释的体积比的比例为1∶2，腐蚀时间为8-10秒；

CdTe钝化层厚度为3000时，腐蚀原液与去离子水的稀释的体积比的比例为1∶4，腐蚀时间为5-8秒；

CdTe钝化层厚度为1000时，腐蚀原液与去离子水的稀释的体积比的比例为1∶8，腐蚀时间为2-4秒。