[发明专利]瞬时脉冲抑制器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910046191.4 | 申请日： | 2009-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101488386A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;李江;张玉月;吴兴农 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/13 | 分类号： | H01C7/13;H01C7/12;H01B1/00;H05F3/04 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 董 梅 |
| 地址： | 201202上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高分子半导体材料及其在电子线路静电放电防护器件中的应用，为一种瞬时脉冲抑制器件，包括基板、内电极、端电极和外侧的包封层，所述的内电极中部开设有狭缝，狭缝中充满高分子半导体材料，所述狭缝的宽度为0.01～0.1mm，所述的高分子半导体材料由高分子基体、半导体填料、导体填料、绝缘填料和交联助剂混合而成，其中，高分子基体的体积电阻系数＞109Ω/cm，交联助剂占高分子半导体材料重量百分比0.1～1％。优点是：通过减小狭宽度可有效降低器件作用时间；而通过加入偶联剂则可以增大材料的稳定性进而提高器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬时 脉冲 抑制 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种瞬时脉冲抑制器件，包括基板、内电极、端电极和外侧的包封层，所述的内电极中部开设有狭缝，狭缝中充满高分子半导体材料，所述的高分子半导体材料包括高分子基体、半导体填料、导体填料、绝缘填料，其特征在于：所述的高分子半导体材料还含有交联助剂，所述狭缝的宽度为0.01～0.1mm，其中，高分子基体的体积电阻系数>109Ω/cm，交联助剂占高分子半导体材料重量百分比0.1～1％。
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