[发明专利]瞬时脉冲抑制器件及其制造方法

权利要求书

1、一种瞬时脉冲抑制器件，包括基板、内电极、端电极和外侧的包封层，所述的内电极中部开设有狭缝，狭缝中充满高分子半导体材料，所述的高分子半导体材料包括高分子基体、半导体填料、导体填料、绝缘填料，其特征在于：所述的高分子半导体材料还含有交联助剂，所述狭缝的宽度为0.01～0.1mm，其中，高分子基体的体积电阻系数>10⁹Ω/cm，交联助剂占高分子半导体材料重量百分比0.1～1％。

2、根据权利要求1所述的高分子半导体材料瞬时脉冲抑制器件，其特征在于：所述的狭缝宽度为0.01～0.05mm。

3、根据权利要求1或2所述的高分子半导体材料瞬时脉冲抑制器件，其特征在于：所述高分子半导体材料按重量百分比计包括下述组分：

高分子基体    40～60％

半导体填料    10～40％

导体填料      10～40％

绝缘填料      1～15％

交联助剂      0.1～1％。

4、根据权利要求3所述的瞬时脉冲抑制器件，其特征在于：所述的高分子基体为聚乙烯、聚丙烯、聚氨酯、环氧树脂、硅树脂、硅橡胶中的一种或多种的混合物。

5、根据权利要求3所述的瞬时脉冲抑制器件，其特征在于：所述的半导体填料为氧化锌、钛酸钡、碳化硅中的一种或多种的混合物，粒径为1～20μm，或为1～100nm。

6、根据权利要求3所述的瞬时脉冲抑制器件，其特征在于：所述的导电填料为镍粉、镍粉、铝粉、银粉中的一种或多种的混合物，粒径为0.1～30μm。

7、根据权利要求3所述的瞬时脉冲抑制器件，其特征在于：绝缘填料为氧化硅、氧化铝、氢氧化镁、氢氧化铝中的一种或多种的混合物，粒径为0.1～10μm，或为1～100nm。

8、根据权利要求3所述的瞬时脉冲抑制器件，其特征在于：所述的交联助剂为硅烷偶联剂。

9、针对权利要求1至8之一所述的瞬时脉冲抑制器件的制造方法，其特征在于包括下述步骤：

a、取双面覆有金属箔片的基板，用化学蚀刻、机械切割或激光切割在一面铜箔上加工形成内电极及端电极，在另一面铜箔加工形成焊盘；

b、在内电极中部用机械或激光打孔或切割形成一条狭缝，狭缝的宽度为0.01～0.1mm，对狭缝进行钝化防氧化处理，并在内表面依次镀铜和金或依次镀镍和金；

c、将高分子基体、半导体填料、导体填料、绝缘填料和交联助剂按比混合均匀，将制得高分子半导体材料在内电极的狭缝处采用印刷涂印并通过高温辐射交联；

d、将包封层材料印刷于高分子半导体材料表面，并加热固化，形成包封层；

e、按设计形状用划片设备沿切割线切割，获得单个瞬时脉冲抑制器件。