[发明专利]高转化率硅基单结多叠层PIN薄膜太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明提出了硅基单结多叠层薄膜太阳能电池及其制造方法，电池结构为基片/TCO/n-μc-Si1-xGex/i-μc-Si/i-A-Si1-xGex/i-A-Si/I-μc-SiC/p-A-SiC/TCO/减反射膜，这种单晶多叠层PIN结构，其i层可以从上述六种材料中选用组成二层，三层，四层，五层和六层级结构；本发明采用激光结晶工艺，等离子掺杂工艺和PECVD过度层工艺来改善各层之间的界面性能，如降低各叠层之间的界面电阻和增强薄膜材料结晶性能，并用氢化处理工艺来保持各层材料性能的稳定和改善透明导电薄膜材料和界面的透光率和导电性。电池转换效率可望达到12％-15％，并具有较好的稳定性。

主权项

一种高转化率硅基单结多叠层PIN薄膜太阳能电池，其特征是，该电池的结构为以下诸种之一：(1)基片/TCO/n层/i层/i层/i层/i层/p层/TCO/减反射膜；(2)基片/TCO/n层/i层/i层/i层/p层/TCO/减反射膜；(3)基片/TCO/n层/i层/i层/p层/TCO/减反射膜；(4)基片/TCO/n层/i层/p层/TCO/减反射膜；(5)基片/TCO/n层/p层/TCO/减反射膜；其中，所述p层、i层、n层均是选自μc-Si1-xGex、A-Si1-xGex、μc-SiC、A-SiC、μc-Si、A-Si半导体材料中的一种；0≤x≤1；“/”表示两层之间的界面。