[发明专利]一种雪崩放大长波量子阱红外探测器无效
| 申请号： | 200910040620.7 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101599512A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 孙鲁;江灏 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种雪崩放大长波量子阱红外探测器，包括InP衬底(1)及通过分子束外延或金属有机化学气相沉积依次生长于InP衬底(1)上的下电极(2)、多个周期的多量子阱层(3)、上电极(4)，所述多个周期的多量子阱层(3)中InP作为势垒层，InxGa1-xAsyP1-y作为量子阱层，当器件工作时，在InxGa1-xAsyP1-y量子阱层可以产生雪崩放大。本发明增强探测器的量子效率，提高器件的响应率，实现对长波红外光的探测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 放大 长波 量子 红外探测器 | ||
【主权项】：
1、一种雪崩放大长波量子阱红外探测器，包括InP衬底(1)及通过分子束外延或金属有机化学气相沉积依次生长于InP衬底(1)上的下电极(2)、多个周期的多量子阱层(3)、上电极(4)，其特征在于：所述多个周期的多量子阱层(3)中InP作为势垒层，InxGa1-xAsyP1-y作为量子阱层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
