[发明专利]一种雪崩放大长波量子阱红外探测器

权利要求书

1.一种雪崩放大长波量子阱红外探测器，包括InP衬底(1)及通过分子束外延或金属有机化学气相沉积依次生长于InP衬底(1)上的下电极(2)、多个周期的多量子阱层(3)、上电极(4)，其特征在于：所述多个周期的多量子阱层(3)中InP作为势垒层，In_xGa_1-xAs_yP_1-y作为量子阱层；In_xGa_1-xAs_yP_1-y量子阱中x＝0.69～0.71，y＝0.61～0.63。

2.根据权利要求1所述的雪崩放大长波量子阱红外探测器，其特征在于：InP势垒层的厚度为35～40nm，In_xGa_1-xAs_yP_1-y量子阱的厚度为8～9nm。

3.根据权利要求2所述的雪崩放大长波量子阱红外探测器，其特征在于：每个In_xGa_1-xAs_yP_1-y量子阱层的n型掺杂浓度为3～6×10¹⁷cm^-3。

4.根据权利要求1至3任一项所述的雪崩放大长波量子阱红外探测器，其特征在于：上、下电极(4、2)均为n型掺杂的In_zGa_1-zAs，In_zGa_1-zAs中，z＝0.52～0.54。

5.根据权利要求4所述的雪崩放大长波量子阱红外探测器，其特征在于：上述In_zGa_1-zAs的n型掺杂浓度范围在1～5×10¹⁸cm^-3。

6.根据权利要求1所述的雪崩放大长波量子阱红外探测器，其特征在于：所述多量子阱层(3)的周期为30个。