[发明专利]一种利用等离子体提纯铸造一体炉制备多晶硅的方法有效
| 申请号： | 200910036967.4 | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101503192A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 黄新明;张永欣;邝亚镭;郭宽新 | 申请（专利权）人： | 晶海洋半导体材料（东海）有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 222300江苏省连*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用等离子体提纯铸造一体炉制备多晶硅的方法，该方法将硅料放入等离子体提纯铸造一体炉内的坩埚中进行等离子体提纯，等离子体提纯完后，进行多晶硅铸造。本发明的有益效果是：等离子提纯与多晶硅铸造共用一个坩埚，避免了硅料的转移，减少了硅料的二次污染；等离子提纯后的硅料直接进行多晶硅铸造，使工艺流程缩短，生产效率提高；不需要传统的两个坩埚，两套加热保温系统，以及硅料转移的辅助设备，减小了炉体的空间，节省了材料，有效降低了设备成本；利用等离子体提纯铸造一体炉制备的多晶硅，具有晶粒大，微缺陷少，生长取向一致性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 等离子体 提纯 铸造 一体 制备 多晶 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用等离子体提纯铸造一体炉制备多晶硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)取硅料，放入等离子体提纯铸造一体炉内的坩埚中，打开坩埚上部可移动的热场和温控机构，抽真空以排除空气，然后进行等离子体提纯以除去硅料中易与活性等离子气体形成易挥发化合物的元素；(2)等离子体提纯完后，封闭坩埚上部可移动的热场和温控机构，对步骤(1)中等离子体提纯后的硅料进行多晶硅铸造。
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