[发明专利]一种利用等离子体提纯铸造一体炉制备多晶硅的方法有效
| 申请号： | 200910036967.4 | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101503192A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 黄新明;张永欣;邝亚镭;郭宽新 | 申请（专利权）人： | 晶海洋半导体材料（东海）有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 222300江苏省连*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 等离子体 提纯 铸造 一体 制备 多晶 方法 | ||
1.一种利用等离子体提纯铸造一体炉制备多晶硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)取硅料，放入等离子体提纯铸造一体炉内的坩埚中，打开坩埚上部可移动的热场和温控机构，抽真空以排除空气，然后进行等离子体提纯以除去硅料中易与活性等离子气体形成易挥发化合物的元素；
(2)等离子体提纯完后，封闭坩埚上部可移动的热场和温控机构，对步骤(1)中等离子体提纯后的硅料进行多晶硅铸造；
等离子体提纯铸造一体炉是多晶硅提纯和铸造的设备，在等离子提纯和多晶硅铸造的过程中采用同一个坩埚，等离子体提纯铸造一体炉在等离子提纯和多晶硅铸造过程中采用同一个热场。
2.根据权利要求1所述的利用等离子体提纯铸造一体炉制备多晶硅的方法，其特征在于，等离子体提纯铸造一体炉在放置坩埚的上部设计有可移动热场和温控机构。
3.根据权利要求2所述的利用等离子体提纯铸造一体炉制备多晶硅的方法，其特征在于，等离子体提纯铸造一体炉的坩埚上部的可移动热场和温控机构，在等离子提纯的时候，自动打开，等离子提纯完毕后，关闭可移动热场和温控机构，进行多晶硅铸造。
4.根据权利要求1所述利用等离子体提纯铸造一体炉制备多晶硅的方法，其特征在于，步骤(1)中所述活性等离子气体为H2、H2O、O2、CO2、N2或它们的混合物。
5.根据权利要求1所述利用等离子体提纯铸造一体炉制备多晶硅的方法，其特征在于，步骤(1)中等离子体提纯的温度范围是1450℃～1700℃。
6.根据权利要求1所述利用等离子体提纯铸造一体炉制备多晶硅的方法，其特征在于，步骤(1)中等离子体提纯和步骤(2)中铸造时的真空度为1×10-2～1.3×105Pa。
7.根据权利要求1所述利用等离子体提纯铸造一体炉制备多晶硅的方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(2)中所述坩埚为高纯石英坩埚。
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