[发明专利]一种提纯工业硅制备太阳能级硅的方法有效
| 申请号： | 200910036966.X | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101475174A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 黄新明;张永欣;邝亚镭;郭宽新 | 申请（专利权）人： | 晶海洋半导体材料（东海）有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 222300江苏省连*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提纯工业硅(2N)制备太阳能级硅的方法，该方法是将工业硅经过初步破碎预处理后，放入高温固相反应炉中，在高温下与活性气体进行气-固反应，达到除去金属杂质的目的，然后对晶体硅进行清洗，晶体硅的纯度达到高于99.999％(5N)，进一步通过电子束真空熔炼，定向凝固处理，最后采用活性气氛等离子体进行进一步的提纯，除去活性高且易被氧化而生成高饱和蒸汽压的易挥发的元素，最后在等离子体多晶硅铸造一体炉中铸造成多晶硅，直接用于制作电池片。本发明联合了高温气-固反应除去金属杂质，电子束除去容易挥发的元素以及等离子提纯铸造一体炉技术，将多晶硅的纯度提高到99.99999％(7N)，完全满足太阳能电池行业对太阳能级硅的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提纯 工业 制备 太阳 能级 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提纯工业硅制备太阳能级硅的方法，其特征在于包括以下步骤：
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