[发明专利]一种制备贵金属/聚合物纳米杂化粒子的方法无效
| 申请号： | 200910031589.0 | 申请日： | 2009-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101544805A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 程振平;施苏萍;朱秀林;张丽芬;朱健 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C08L39/08 | 分类号： | C08L39/08;C08F292/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备贵金属/聚合物纳米杂化粒子的方法，包括以下步骤：(1)以纳米二氧化硅粒子为核，制备聚4-乙烯基吡啶层包裹的纳米二氧化硅粒子；(2)在聚4-乙烯基吡啶层上负载贵金属，得到以聚4-乙烯吡啶负载贵金属为壳层，纳米SiO2粒子为核的贵金属/聚合物纳米杂化粒子；由于本发明得到以聚4-乙烯吡啶负载贵金属为壳层，纳米SiO2粒子为核的核壳结构杂化纳米粒子，其中聚4-乙烯吡啶层的厚度以及纳米SiO2粒子的粒径都可以调节，因此，最终的贵金属/聚合物纳米杂化粒子的比表面具有可调节性；同时由于聚4-乙烯吡啶包裹在纳米SiO2粒子的表面，可以充分负载贵金属，因此提高了聚4-乙烯吡啶的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 贵金属 聚合物 纳米 粒子 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制备贵金属/聚合物纳米杂化粒子的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)以纳米二氧化硅粒子为核，制备聚4-乙烯基吡啶层包裹的纳米二氧化硅粒子；(2)在聚4-乙烯基吡啶层上负载贵金属，得到以聚4-乙烯吡啶负载贵金属为壳层，纳米SiO2粒子为核贵金属/聚合物纳米杂化粒子；所述贵金属选自金或银中的一种。
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