[发明专利]一种制备贵金属/聚合物纳米杂化粒子的方法无效
| 申请号: | 200910031589.0 | 申请日: | 2009-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN101544805A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
| 发明(设计)人: | 程振平;施苏萍;朱秀林;张丽芬;朱健 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
| 主分类号: | C08L39/08 | 分类号: | C08L39/08;C08F292/00 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陶海锋 |
| 地址: | 215123江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 制备 贵金属 聚合物 纳米 粒子 方法 | ||
1.一种制备贵金属/聚合物纳米杂化粒子的方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)以纳米二氧化硅粒子为核,制备聚4-乙烯基吡啶层包裹的纳米二氧化硅粒子;
(2)在聚4-乙烯基吡啶层上负载贵金属,得到以聚4-乙烯吡啶负载贵金属为壳层,纳米SiO2粒子为核贵金属/聚合物纳米杂化粒子;
所述贵金属选自金或银中的一种;
步骤(1)中制备聚4-乙烯基吡啶层包裹的纳米二氧化硅粒子的方法具体包括以下步骤:
(1)通过氯甲基化硅烷偶联剂改性纳米二氧化硅粒子,得到氯甲基化纳米二氧化硅粒子;
(2)以咔唑、二硫化碳和氯甲基化纳米二氧化硅粒子反应,将二硫代咔唑甲酸苄酯负载到二氧化硅粒子表面;
(3)以二氧化硅粒子负载的二硫代咔唑甲酸苄酯为RAFT试剂,通过RAFT聚合法在粒子表面接枝4-乙烯基吡啶,得到聚4-乙烯基吡啶层包裹的纳米二氧化硅粒子。
2.一种贵金属/聚合物纳米杂化粒子,其特征在于:所述贵金属/聚合物纳米杂化粒子的核为纳米二氧化硅粒子,所述贵金属/聚合物纳米杂化粒子的壳层为负载贵金属的聚4-乙烯吡啶层;所述贵金属选自金或银中的一种;采用权利要求1的方法制备获得。
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